Одержання квазібінарної системи CuInS2-CdS, її фазова діаграма, електричні та фотоелектричні властивості

Побудована фазова діаграма системи CuInS2–CdS представлена на рис.1.

У системі утворюється неперервний ряд твердих розчинів (НРТР) між ВТР(2)-модифікацією CuInS2, яка володіє структурою вюрциту, та CdS, який ізоструктурний їй. Кристалізація -твердого розчину відбувається в дуже вузькому температурному інтервалі. Незважаючи на це, ефекти ліквідуса та солідуса на кривих нагрівання є добре розділені. Для перевірки результатів ДТА був проведений відпал двох серій сплавів при 1170 К та 1270 К. Сплави нагрівалися до 1420 К і зі швидкістю 10 К/год охолоджувалися до температури відпалу. Тривалість відпалу становила 72 год та 48 год відповідно для кожної серії. Аналіз дифрактограм та повнопрофільний аналіз дифракційних відбить підтверджує необмежену розчинність ВТР(2) CuInS2 і CdS.Друга ВТР-модифікація CuInS2, яка кристалізується в структурі сфалериту, стабілізується до температури відпалу (рис. 2), при якій протяжність b-твердого розчину не перевищує ~7 мол.% (37-44 мол.% CdS). Період кубічної ґратки зростає при збільшенні вмісту CdS (a=0,5618(3)–0,5628(2) нм). Зменшення інтервалу b-твердого розчину з пониженням температури наштовхує на думку про можливість твердофазного розкладу при температурах нижче 870 К. Проведений відпал 4 сплавів із вмістом 15, 25, 40 і 50 мол.% CdS при 670 К показав, що всі ці сплави є двофазними. Перші два з них містять суміш тетрагональної та кубічної фаз, інші два – кубічної та гексагональної. Тобто можна стверджувати, що при цій температурі область гомогенності b-твердого розчину буде ще меншою і зсунутою в сторону CuInS2.

Розчинність на основі НТР-модифікації (низькотемпературної) CuInS2, що кристалізується в структурі халькопіриту, збільшується з пониженням температури. При 870 К величина g-твердого розчину лежить в інтервалі 0–11 мол.% CdS (рис. 2). Параметри тетрагональної комірки зростають від a=0,55222(7), c=1,1136(2) нм у CuInS2 до a=0,5540(3), c=1,1168(2) нм у граничного складу твердого розчину. І нарешті, a-твердий розчин на основі CdS при 870 К існує в інтервалі 56–100 мол.% CdS, при зміні періодів елементарної комірки в межах a=0,41347(9), c=0,6717(3) нм у CdS до a=0,3987(1), c=0,6527(2) нм у граничного складу.

3.2. Електричні, термоелектричні й оптичні властивості твердих розчинів

СuInS2-CdS

Усі одержані полікристалічні зразки системи CuInS2–CdS виявилися напівпровід-никами із питомою електропровідністю (), яка зменшується зі збільшенням вмісту CdS (рис. 3).

Дослідження термо-е.р.с. () показали (рис. 4), що всі зразки із вмістом CdS мен-шим ~85 мол.% є напівпровідники р-типу провідності. Починаючи із 60 мол.% CdS,  різко зменшується і при ~85 мол.% CdS змінює свій знак (залишаючись близькою до нуля), що свідчить про зміну провідності розчину. Близькість значення a до нуля і високий питомий опір (r~109 ОмЧсм) для зразків із великим вмістом CdS вказує на те, що вони за своїми електричними властивостями наближаються до компенсованих напівпровідників. З другого боку, при малому вмісті CdS спостерігається порівняно невисокий питомий опір, і зразки є напівпровідниками з добре вираженим р-типом провідності (рис. 3, 4).

Так, наприклад, питомий опір зразків області -твердого розчину (0–11 мол. % CdS) становить =2102 Омсм (при Т=293 К), що мало відрізняється від питомого опору сполуки CuInS2 [3]. Взявши також до уваги однотипність кристалічної структури для всіх зразків цього інтервалу, можна стверджувати, що їх електричні властивості будуть подібні до електричних властивостей CuInS2.

Температурна залежність питомої електропровідності твердих розчинів з малим вмістом CdS добре описується формулою:

 = С ехр (1)

На температурній залежності  високоомних зразків із великим вмістом CdS можна виділити дві ділянки з різними енергіями активації Е (рис. 5).

Залежність енергії активації від складу системи подана на рис. 6.

Визначена із формули (1) енергія активації провідності для зразків -твердого розчину виявилася рівною:

E = EV + (0,130,02) eB.