Напівпровідники і їх використання

План.

1) Вступ.

2) Що таке напівпровідник?

3) Типи напівпровідників. Їх властивості.

4) Напівпровідникові прилади. Їх властивості.

5) Використання напівпровідників у промисловості.

Список літератури і додатків.

Вступ.

За 50 рокiв застосування транзисторiв у них не з'явилося серйозних конкурентiв. Постає запитання - хто ж був першовiдкри-вачем фiзичних ефектiв, на використаннi яких грунтується дiя транзис-тора? Це ще одна "бiла пляма" у розвитку iнформацiйних технологiй в Українi. Вона пов'язана з дiяльнiстю видатного українського фiзика Вадима Євгеновича Лашкарьова (1903 - 1974) (мал. 1). Вiн по праву мав би одержати Нобелiвську премiю з фiзики за вiдкриття транзисторного ефекту, якої в 1956 р. були удостоєнi американськi вченi Джон Бардин, Вiльям Шоклi, Уолтер Браттейн.

Ще в 1941 р. В.Є. Лашкарьов надрукував статтю "Дослiдження запiрних шарiв методом термозонда" i у спiвавторствi з К.М. Косоноговою - статтю "Вплив домiшок на вентильний фотоефект у закису мiдi" (там само). Вiн встановив, що сторони "запiрного шару", розташованi паралельно границi подiлу мiдь - закис мiдi, мали протилежнi знаки носiїв струму. Це явище одержало назву p-n переходу (p - вiд positive, n - вiд negative). В.Є. Лашкарьов розкрив також механiзм iнжекцiї - найважливiшого явища, на основi якого дiють напiвпровiдниковi дiоди i транзистори.

Перше повiдомлення в американськiй пресi про появу напiвпровiдни-кового пiдсилювача-транзистора з'явилося в липнi 1948 року, через 7 рокiв пiсля статтi В.Є. Лашкарьова. Його винахiдники - американськi вченi Бардин i Браттейн - пiшли шляхом створення так званого точко-вого транзистора на основi кристала германiю n-типу. Перший обна-дiйливий результат вони одержали наприкiнцi 1947 р. Проте прилад працював нестабiльно, його характеристики були непередбачуваними, i тому практичного застосування точковий транзистор не отримав.

1951 року у США з'явився надiйнiший площинний транзистор n-p-n типу. Його створив Шоклi. Транзистор складався з трьох шарiв германiю n, p i n типу загальною товщиною 1 см i був зовсiм не схожий на майбутнi мiнiатюрнi, а згодом - i невидимi компоненти iнтегральних схем.

Уже через кiлька рокiв значення винаходу американських учених стало очевидним, i вони були удостоєнi Нобелiвської премiї. Можливо, початок "холодної вiйни" або iснуюча тодi "залiзна завiса" перешко-дили В.Є. Лашкарьову стати нобелiвським лауреатом. Його iнтерес до напiвпровiдникiв не був випадковим. Починаючи з 1939 р. i до кiнця життя вчений послiдовно i плiдно дослiджував їхнi фiзичнi властивостi. На додаток до двох перших робiт у 1950 р. вiн i В.I. Ляшенко надруку-вали статтю "Електроннi стани на поверхнi напiвпровiдника", в якiй описали результати дослiджень поверхневих явищ у напiвпровiдниках, що згодом стали основою роботи iнтегральних схем на польових транзисторах.

Пiд керiвництвом В.Є. Лашкарьова на початку 50-х рокiв в Iнститутi фiзики АН УРСР було органiзоване виробництво точкових транзисторiв.

Сформована вченим наукова школа у галузi фiзики напiвпровiдникiв стає однiєю з провiдних в СРСР. Визнанням значущостi її наукових результатiв було створення в 1960 р. Iнституту напiвпровiдникiв АН УРСР, який очолив В.Є. Лашкарьов.

Вчений народився i отримав вищу освiту в Києвi, згодом працював у Ленiнградi. На жаль, першi роки його творчої дiяльностi припали на перiод репресiй. Вiн був заарештований i висланий до Архангельська, де до 1939 р. завiдував кафедрою фiзики в медiнститутi. Наступнi, найплiднiшi 35 рокiв життя Вадима Євгеновича пов'язанi з Києвом. Вiн залишив пiсля себе цiлу плеяду учнiв, якi згодом стали визначними вченими, що успiшно продовжують розпочатi В.Є. Лашкарьовим